- выращивание осаждением
- n
eng. (напр. плёнки) croissance par dépôt
Dictionnaire russe-français universel. 2013.
выращивание осаждением
Regardez d'autres dictionnaires:
выращивание перед эпитаксиальным осаждением — ikiepitaksinis auginimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. pre epitaxial growth vok. vorepitaxiales Wachstum, n rus. выращивание перед эпитаксиальным осаждением, n pranc. croissance avant dépôt épitaxial, f … Radioelektronikos terminų žodynas
НЕОРГАНИЧЕСКИЕ ВОЛОКНА — волокнистые материалы, получаемые из нек рых элементов (В, металлы), их оксидов (Si, Аl или Zr), карбидов (Si или В), нитридов (Аl) и др., а также из смесей указанных соед., напр. разл. оксидов или карбидов. См. также Стеклянное волокно,… … Химическая энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ — совокупность веществ с чётко выраженными свойствами полупроводников в широком интервале темп р, включающем комнатную темп ру Т=300 К, применяющихся для изготовления полупроводниковых приборов. Все П. м. можно разбить на неск. групп. 1)… … Физическая энциклопедия
Монокристалл — отдельный однородный кристалл, имеющий непрерывную кристаллическую решётку и характеризующийся анизотропией (См. Анизотропия) свойств (см. Кристаллы). Внешняя форма М. обусловлена его атомнокристаллической структурой и условиями… … Большая советская энциклопедия
КОМПОЗИЦИОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ — (композиты) (от лат. compositio составление), многокомпонентные материалы, состоящие из полимерной, металлич., углеродной, керамич. или др. основы (матрицы), армированной наполнителями из волокон, нитевидных кристаллов, тонкодиспeрсных частиц и… … Химическая энциклопедия
КРЕМНИЙ — (Silicium) Si, химический элемент IV гр. периодич. системы, ат. н. 14, ат. м. 28,0855. Состоит из трех стабильных изотопов 28Si (92,27%), 29Si (4,68%) и 30Si (3,05%). Поперечное сечение захвата тепловых нейтронов 1,3.10 29 м 2. Конфигурация внеш … Химическая энциклопедия
ПЛЁНОЧНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ — 1) тонкоплёночная технология совокупность способов получения и обработки тонких плёнок металлов, диэлектриков, ПП при изготовлении транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов и др. влементов интегральных схем, а также при иэготовленни ПП… … Большой энциклопедический политехнический словарь
Полупроводниковые материалы — Для улучшения этой статьи желательно?: Викифицировать статью. Полупроводниковые материалы вещества с чётко в … Википедия
croissance avant dépôt épitaxial — ikiepitaksinis auginimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. pre epitaxial growth vok. vorepitaxiales Wachstum, n rus. выращивание перед эпитаксиальным осаждением, n pranc. croissance avant dépôt épitaxial, f … Radioelektronikos terminų žodynas
ikiepitaksinis auginimas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. pre epitaxial growth vok. vorepitaxiales Wachstum, n rus. выращивание перед эпитаксиальным осаждением, n pranc. croissance avant dépôt épitaxial, f … Radioelektronikos terminų žodynas
pre-epitaxial growth — ikiepitaksinis auginimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. pre epitaxial growth vok. vorepitaxiales Wachstum, n rus. выращивание перед эпитаксиальным осаждением, n pranc. croissance avant dépôt épitaxial, f … Radioelektronikos terminų žodynas
